레이저다이오드(Laser Diode) 전문기업인 ㈜큐에스아이는 n78, n79대역을 지원하는 저잡음 증폭기를 인듐갈륨비소(InGaAs)기반의 고전자 이동도 트랜지스터(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)를 적용하여 개발했습니다.
㈜큐에스아이는 저잡음 증폭기를 개발하기 위하여 한국전자기술연구원, 충남대학교, 경북대학교, 숭실대학교, 한국과학기술연구원들과 공동연구를 실시했고 세부적으로는 경북대, 한국과학기술연구원, ㈜큐에스아이가 소자 및 저잡음 증폭기 공정을 개발하였으며, 한국전자기술연구원, 충남대학교, 숭실대학교에서 저잡음 증폭기 설계를 담당했습니다.
최근 ㈜큐에스아이는 세계 3대 반도체 학술대회인 IEDM에서 세계 최고 주파수 특성의 반도체 전자소자 개발을 경북대학교 김대현교수 연구진과 함께 공동 저자로 발표했고 발표된 소자를 이용하여 고주파 단일 집적회로(MMIC, Monolithic Microwave Integrated Circuits)중 하나인 저잡음 증폭기를 제작 및 개발했습니다.
고주파 단일 집적회로는 HEMT소자와 더불어 저항, 커패시터(Capacitor), 인덕터(Inductor)를 하나의 칩에 구현하고 회로화한 것을 의미하며, 고주파 단일 집적회로를 제작 가능하다는 것은 향후 ㈜큐에스아이가 화합물 반도체 전문기업으로서 레이저다이오드 사업 외에 RF소자 분야로 사업영역을 넓혀 화합물 반도체 파운드리 사업을 전개할 능력을 확보하였다는데 의미를 둘 수 있습니다.
한국전자기술연구원은 ㈜큐에스아이가 개발한 HEMT 능동 소자와 수동 소자에 대한 모델링 기술을 국산화했습니다. 이를 기반으로 Sub-6GHz 5G 통신부품을 정교하게 설계 및 제작할 수 있었습니다. 이는 순수 화합물 반도체 국산화 기술로 국내 이동통신 부품을 생산할 수 있는 가능성을 증명해 내는 의미 있는 결과물입니다.
