SK하이닉스, 초고속 'HBM2E' D램 개발...1초에 영화 124편 처리
SK하이닉스, 초고속 'HBM2E' D램 개발...1초에 영화 124편 처리
  • 배태호
  • 승인 2019.08.12
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[팍스경제TV 배태호 기자]

SK하이닉스가 기존 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높인 HBM2E D램을 개발했다. (사진제공-SK하이닉스)
SK하이닉스가 기존 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높인 HBM2E D램을 개발했다. (사진제공-SK하이닉스)

SK하이닉스(대표 이석희)가 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔습니다. 

HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리) D램의 차세대 제품입니다.

이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높인 것이 특징입니다. SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있습니다.

총 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능합니다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준입니다. 

SK하이닉스는 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB 용량을 구현했다고 밝혔습니다. 

TSV기술은 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 상호 연결하는 기술입니다.

일반적으로 기존 패키지 방식보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄어드는 효과가 발생합니다.

HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션입니다.

HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아닌, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십um(마이크로미터) 간격 수준으로 가까이 장착합니다. 

이로써 칩간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능해진다고 SK하이닉스는 설명했습니다.

SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 “SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다”며 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 밝혔습니다. 


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