4세대 10나노급(1a) D램부터 EUV 전면 적용
내년 D램 시장 DDR5/LPDDR5로 본격 전환
삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖추었다. 반도체 미세공정의 한계를 돌파하고 업계 선도업체로서 초격차 전략을 이어간다는 것이다. 이에 따라 차세대 D램 제품부터 전면 적용한다.
삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 고객사에 공급했다고 25일 밝혔다.
EUV 노광 기술은 웨이퍼에 회로 패턴을 새겨 넣기 위해 사용한 광원을 레이저 대신 극자외선 파장의 광원을 사용한 것으로 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄이면서 정확도를 높여 성능·수율 향상과 제품 개발 기간을 단축할 수 있다.
삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 '4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술'을 개발하고 있으며 EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성이 2배 높일 수 있다.
내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산한다는 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"고 말했다.
한편, 삼성전자는 내년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체간 다양한 표준화 활동을 추진해, 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정이다.
삼성전자는 올해 하반기 평택 신규 라인을 가동해 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획이다.
