SK하이닉스 미래기술연구원 담당 차선용 부사장이 지난달 21일 열린 ‘2023년 과학·정보통신의 날 기념식’에서 과학기술훈장 혁신장 수훈의 영예를 안았습니다.

과학기술훈장은 국가 과학기술 발전에 기여한 이에게 수여되는 최고 영예의 상으로, 혁신장은 그 중 창조장 다음 두 번째로 상격이 높습니다.

차 부사장의 수훈 업적은 10나노급 D램 테크 플랫폼(Tech. Platform)을 도입해 다음 세대 미세 공정의 기틀을 마련하고, 2019년 당시 최고 속도인 HBM2E(High Bandwidth Memory 2 Extended)를 개발해 초고속 메모리의 발전을 주도한 것입니다.

또 그는 세계 최초로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 출시해 대한민국 반도체 산업이 빅데이터와 서버 시장 우위를 점하는 데 기여했으며, 10나노급 4세대 LPDDR4 D램 양산 시 극자외선(EUV) 노광 공정을 도입해 차세대 기술 개발의 기반을 조성했다는 평가를 받았습니다.

박나연 기자 kk020419@paxetv.com 다른기사 보기