SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔습니다. 이로써 회사는 10 나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정기술을 세상에 내놓게 됐습니다.
SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다”고 전했습니다. 이어 “연내 1c DDR5 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했습니다.
SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다고 설명했습니다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다고 덧붙였습니다.
또 EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했습니다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰습니다. 고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌습니다.
또 전력효율은 9% 이상 개선됐습니다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있습니다.
김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 “최고 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것“이라며 “앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업 위상을 공고히 하겠다”고 말했습니다.
