삼성전자, 중국 시안에 반도체 2기 라인 착공···낸드플래시 수요 대응
삼성전자, 중국 시안에 반도체 2기 라인 착공···낸드플래시 수요 대응
  • 정윤형 기자
  • 승인 2018.03.28
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3년간 7조5000억원 투자
삼성전자가 3D V낸드 수요에 대응하기 위해 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다. 사진=뉴시스
삼성전자가 3D V낸드 수요에 대응하기 위해 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다. 사진=뉴시스

[팍스경제TV 정윤형 기자]

삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하기 위해 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설합니다.

삼성전자는 오늘(28일) 오전 중국 산시성 시안시에서 김기남 삼성전자DS부문장과 노영민 주중 한국대사, 후허핑 산시성 성위서기 등이 참석한 가운데 ‘반도체 메모리 제 2라인 기공식’을 실시했습니다.

삼성전자는 지난해 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 MOU를 체결하고 향후 3년간 총 70억 불, 우리돈으로 7조 5000억원을 투자하기로 했습니다.

이번투자를 통해 삼성전자는 낸드플래시 최대 수요처인 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고, 중국 시장 요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.
 



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