[팍스경제TV 송지원 기자]

삼성전자가 세계 최초로 10나노급 2세대 D램 양산을 시작한다.

삼성전자는 지난해 2월, 1x 나노 (10나노급 1세대) 8Gb D램을 양산하면서 본격적인 10나노급 D램 시대를 열었다.

이번 2세대 D램 양산으로 삼성전자는 21개월 만에 또 다시 미세공정 한계를 극복한 것이다.

이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 ▲초고속 · 초절전 · 초소형 회로 설계  ▲초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계  ▲2세대 에어갭 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.

기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 향상됐고, 소비 전력량은 15% 이상 절감 됐다. 또한 절연 물질 대신 공기로 채우는 기술을 새롭게 적용했다.

이로써 비트라인 주변에서 발생되는 불필요한 전하량을 최소화해 초고감도 셀 개발이 가능하고, 셀 배열의 집적도를 향상시켜 칩 사이즈를 대폭 줄일 수 있다.

삼성전자 관계자는"향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 말했다.

이어 "일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획"이라고 덧붙였다.

송지원 기자 sjiwon@paxetv.com 다른기사 보기